DMP26M1UPSW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
DMP26M1UPSW-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount, Wettable Flank
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
2.5V, 4.5V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
83A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5392 pF @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta), 2.6W (Tc)
