DMT10H009SCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT10H009SCG-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
サプライヤーデバイスパッケージ：
V-DFN3333-8 (Type B)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2085 pF @ 50 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
9.5mOhm @ 20A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
14A (Ta), 48A (Tc)
