DMT10H010LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
DMT10H010LSSQ-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
パッケージ・ケース：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-SO
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
12A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
58.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4166 pF @ 50 V
