DMT10H052LFDF-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
DMT10H052LFDF-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
パッケージ・ケース：
6-UDFN Exposed Pad
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
5A (Ta)
サプライヤーデバイスパッケージ：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
52mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
258 pF @ 50 V
