DMT10H075LE-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
DMT10H075LE-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
4A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
2.4W (Ta)
サプライヤーデバイスパッケージ：
SOT-223-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
4.5 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
65mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
228 pF @ 50 V
