DMT10H9M9SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
DMT10H9M9SCT Specifications
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
6V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.9V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2085 pF @ 50 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
8.8mOhm @ 20A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
99A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.3W (Ta), 156W (Tc)
