DMT12H060LFDF-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
DMT12H060LFDF-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (最大)：
±8V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
1.5V, 4.5V
パッケージ・ケース：
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.4V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
4.4A (Ta)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
115 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
65mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
475 pF @ 50 V
