DMT12H090LFDF4-13
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
DMT12H090LFDF4-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
Vgs (最大)：
±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
900mW (Ta)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
3.4A (Ta)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
115 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
3V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
90mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
251 pF @ 50 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
X2-DFN2020-6
パッケージ・ケース：
6-PowerXDFN
