DMT3009UFVW-13
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
DMT3009UFVW-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount, Wettable Flank
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.8V @ 250µA
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
Vgs (最大)：
±12V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
11mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.4 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
10.6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
894 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
