DMT32M4LFG-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMT32M4LFG-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
67 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
1.7mOhm @ 20A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
30A (Ta), 100A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
1.1W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4366 pF @ 15 V
