DMT6006SPS-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
DMT6006SPS-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI5060-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
27.9 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
6.2mOhm @ 10.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1721 pF @ 30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
16.2A (Ta), 98A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.45W (Ta), 89.3W (Tc)
