DMT6012LPSW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMT6012LPSW-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount, Wettable Flank
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
22.2 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
12mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1522 pF @ 30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
13.1A (Ta), 31.5A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
3.1W (Ta), 17.9W (Tc)
