DMT6013LSS-13
MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
DMT6013LSS-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-SOP
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.4W (Ta)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
10A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1081 pF @ 30 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
14.3mOhm @ 10A, 10V
