DMT6016LPSW-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
DMT6016LPSW-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount, Wettable Flank
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
17 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
864 pF @ 30 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
16.5mOhm @ 20A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
11.2A (Ta), 43A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.84W (Ta), 41.67W (Tc)
