DMT6017LFDF-7
MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
DMT6017LFDF-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
6-UDFN Exposed Pad
Vgs (最大)：
±16V
サプライヤーデバイスパッケージ：
U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15.3 nC @ 10 V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
65 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
18mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
891 pF @ 30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
8.1A (Ta)
