DMT64M2LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
DMT64M2LPSW-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
4.4mOhm @ 50A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI5060-8 (Type Q)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
46.7 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
20.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2799 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.8W (Ta), 83.3W (Tc)
