DMT64M8LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT64M8LCG-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.4V @ 250µA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
4.8mOhm @ 20A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ：
V-DFN3333-8 (Type B)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
47.5 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
990mW (Ta)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
16.1A (Ta), 77.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2664 pF @ 30 V
