DMT69M5LFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
DMT69M5LFVWQ-7 Specifications
学年：
Automotive
取付タイプ：
Surface Mount, Wettable Flank
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
Qualification：
AEC-Q101
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1406 pF @ 30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
14.8A (Ta), 40.6A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.74W (Ta), 20.5W (Tc)
