DMT8007LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMT8007LPSW-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount, Wettable Flank
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
100A (Tc)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 1mA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
6.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
45.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2682 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)：
1.5W (Ta), 104W (Tc)
