DMT8008SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
DMT8008SCT Specifications
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-220-3
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
111A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
7.5mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1950 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)：
2.4W (Ta), 167W (Tc)
