DMT8008SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMT8008SK3-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
6V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
80 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
90A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
1.7W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1950 pF @ 40 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
7.8mOhm @ 14A, 10V
