DMTH10H009LFGQ-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMTH10H009LFGQ-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
サプライヤーデバイスパッケージ：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
41 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2361 pF @ 50 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
12A (Ta), 46A (Tc)
