DMTH10H009LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH10H009LPSQ-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI5060-8
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
1.5W (Ta), 100W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2309 pF @ 50 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
15A (Ta), 91A (Tc)
