DMTH10H025LPSQ-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
DMTH10H025LPSQ-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
6V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
21 nC @ 10 V
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI5060-8
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
23mOhm @ 20A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
9.3A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1477 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)：
3.2W (Ta), 79W (Tc)
