DMTH10H032LFVW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
DMTH10H032LFVW-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount, Wettable Flank
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
1.7W (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
30mOhm @ 10A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
26A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
683 pF @ 50 V
