DMTH10H2M5STLW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
DMTH10H2M5STLW-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
パッケージ・ケース：
8-PowerSFN
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
2.5mOhm @ 30A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
215A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
124.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
8450 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)：
5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
POWERDI1012-8
