DMTH10H4M6SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH10H4M6SPSW-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount, Wettable Flank
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
66 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)：
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4327 pF @ 50 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
21A (Ta), 115A (Tc)
