DMTH12H007SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
DMTH12H007SK3-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
2W (Ta)
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-252 (DPAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44 nC @ 10 V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
120 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
86A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
8.9mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3142 pF @ 60 V
