DMTH4M70SPGWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
DMTH4M70SPGWQ-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
40 V
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
パッケージ・ケース：
SOT-1235
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
460A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
0.7mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
117.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
10053 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)：
5.6W (Ta), 428W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI8080-5
