DMTH6012LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
DMTH6012LPSW-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
785 pF @ 30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
13.6 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
14mOhm @ 20A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI5060-8 (Type Q)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
