DMTH6016LFVWQ-7-A
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
DMTH6016LFVWQ-7-A Specifications
学年：
Automotive
取付タイプ：
Surface Mount, Wettable Flank
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
16mOhm @ 20A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15.1 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
41A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
939 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
1.17W (Ta)
