DMTH61M8SPSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMTH61M8SPSQ-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI5060-8 (Type K)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
8306 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
3.2W (Ta), 167W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
215A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
1.6mOhm @ 30A, 10V
