DMWS120H100SM4
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMWS120H100SM4 Specifications
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
1200 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-247-4
パッケージ・ケース：
TO-247-4
テクノロジー：
SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
15V
Power Dissipation (Max)：
208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
52 nC @ 15 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
37.2A (Tc)
Vgs (最大)：
+19V, -8V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
100mOhm @ 20A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1516 pF @ 1000 V
