DMWSH120H28SM4Q
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMWSH120H28SM4Q Specifications
取付タイプ：
Through Hole
学年：
Automotive
FETタイプ：
N-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
100A (Tc)
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
テクノロジー：
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
1200 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-247-4
パッケージ・ケース：
TO-247-4
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.6V @ 17.7mA
Power Dissipation (Max)：
429W (Tc)
Vgs (最大)：
+19V, -8V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
28.5mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
156.3 nC @ 15 V
