DSC02120D1-13
SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252
DSC02120D1-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
Current - Average Rectified (Io)：
2A
テクノロジー：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
スピード：
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr)：
0 ns
動作温度 - ジャンクション：
-55°C ~ 175°C
パッケージ・ケース：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大)：
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 2 A
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-252 (Type WX)
Current - Reverse Leakage @ Vr：
128 µA @ 1200 V
静電容量 @ Vr、F：
131pF @ 100mV, 1MHz
