DSC10A065D1-13
SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252
DSC10A065D1-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
スピード：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
テクノロジー：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大)：
650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.5 V @ 10 A
動作温度 - ジャンクション：
-55°C ~ 175°C
パッケージ・ケース：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Average Rectified (Io)：
10A
Current - Reverse Leakage @ Vr：
250 µA @ 650 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-252 (Type WX)
静電容量 @ Vr、F：
434pF @ 100mV, 1MHz
