DXTC3C100PDQ-13
SS Low Sat Transistor PowerDI506
DXTC3C100PDQ-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Current - Collector Cutoff (Max)：
100nA
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
Current - Collector (Ic) (Max)：
3A
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI5060-8 (Type UXD)
トランジスタの種類：
1 NPN, 1 PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：
100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：
330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：
150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
パワー - 最大：
1.47W
Frequency - Transition：
130MHz, 100MHz
