FES1GE
DIODE GEN PURP 400V 1A F1A
FES1GE Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
Standard
スピード：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io)：
1A
動作温度 - ジャンクション：
-55°C ~ 150°C
逆回復時間 (trr)：
25 ns
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大)：
400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr：
5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.25 V @ 1 A
パッケージ・ケース：
DO-219AA
静電容量 @ Vr、F：
14pF @ 4V, 1MHz
サプライヤーデバイスパッケージ：
F1A (DO219AA)
