FS1ME-7
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO219AA
FS1ME-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
Standard
Current - Average Rectified (Io)：
1A
動作温度 - ジャンクション：
-55°C ~ 150°C
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大)：
1000 V
Current - Reverse Leakage @ Vr：
5 µA @ 1000 V
スピード：
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.1 V @ 1 A
静電容量 @ Vr、F：
7.6pF @ 4V, 1MHz
パッケージ・ケース：
DO-219AA
サプライヤーデバイスパッケージ：
DO-219AA
逆回復時間 (trr)：
1.6 µs
