FUS1ME
DIODE GEN PURP 1KV 1A F1A
FUS1ME Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
Standard
スピード：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io)：
1A
動作温度 - ジャンクション：
-55°C ~ 150°C
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大)：
1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 1 A
逆回復時間 (trr)：
75 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr：
5 µA @ 1000 V
静電容量 @ Vr、F：
10pF @ 4V, 1MHz
パッケージ・ケース：
DO-219AA
サプライヤーデバイスパッケージ：
F1A (DO219AA)
