US1M
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
US1M Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
Standard
スピード：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
パッケージ・ケース：
DO-214AC, SMA
Current - Average Rectified (Io)：
1A
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大)：
1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 1 A
逆回復時間 (trr)：
75 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr：
5 µA @ 1000 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
SMA
動作温度 - ジャンクション：
-65°C ~ 150°C
静電容量 @ Vr、F：
10pF @ 4V, 1MHz
