ZXMN10B08E6QTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
ZXMN10B08E6QTA Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
SOT-23-6
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
サプライヤーデバイスパッケージ：
SOT-26
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
1.6A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
9.2 nC @ 10 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.3V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
230mOhm @ 1.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
497 pF @ 50 V
