ZXMN7A11GQTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
ZXMN7A11GQTA Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
パッケージ・ケース：
TO-261-4, TO-261AA
サプライヤーデバイスパッケージ：
SOT-223
Power Dissipation (Max)：
2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2.7A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.4 nC @ 10 V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
70 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
130mOhm @ 4.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
298 pF @ 50 V
