1N4003
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
1N4003 Specifications
장착 유형：
Through Hole
기술：
Standard
패키지/케이스：
DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지：
DO-41
Current - Average Rectified (Io)：
1A
Current - Reverse Leakage @ Vr：
10 µA @ 200 V
작동 온도 - 접합：
-55°C ~ 125°C
속도：
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1 V @ 1 A
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)：
200 V
커패시턴스 @ Vr, F：
10pF @ 4V, 1MHz
역복구 시간(trr)：
5 µs
