BAS16HLPQ-7B
DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN
BAS16HLPQ-7B Specifications
장착 유형：
Surface Mount
등급：
Automotive
패키지/케이스：
0402 (1006 Metric)
기술：
Standard
속도：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Qualification：
AEC-Q101
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)：
100 V
작동 온도 - 접합：
-65°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.25 V @ 150 mA
역복구 시간(trr)：
4 ns
커패시턴스 @ Vr, F：
1.5pF @ 0V, 1MHz
공급자 장치 패키지：
X1-DFN1006-2
Current - Average Rectified (Io)：
215mA
Current - Reverse Leakage @ Vr：
500 nA @ 80 V
