DGD2012S8-13
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
DGD2012S8-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
DigiKey Programmable：
Not Verified
패키지/케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지：
8-SO
작동 온도：
-40°C ~ 150°C (TJ)
전압 - 공급：
10V ~ 20V
채널 유형：
Independent
운전자 수：
2
입력 유형：
Non-Inverting
구동 구성：
Half-Bridge
논리 전압 - VIL, VIH：
0.8V, 2.5V
게이트 유형：
N-Channel MOSFET
High Side Voltage - Max (Bootstrap)：
200 V
상승/하강 시간(일반)：
40ns, 20ns
전류 - 피크 출력(소스, 싱크)：
1.9A, 2.3A
