DMN2009UFDF-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN2009UFDF-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
2.5V, 4.5V
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(최대)：
±12V
패키지/케이스：
6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
27.9 nC @ 10 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
9mOhm @ 8.5A, 4.5V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
12.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1083 pF @ 10 V
