DMN2029UVT-7
MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
DMN2029UVT-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급자 장치 패키지：
TSOT-26
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
2.5V, 4.5V
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
700mW (Ta)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
6.8A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
646 pF @ 10 V
