DMN29M9UFDF-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMN29M9UFDF-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta)
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(최대)：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.2V @ 250µA
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.8V, 4.5V
패키지/케이스：
6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지：
U-DFN2020-6 (Type F)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
11A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
13.5mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
655 pF @ 8 V
