DMN32D0LFB4-7B
MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
DMN32D0LFB4-7B Specifications
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
350mW (Ta)
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.2V @ 250µA
패키지/케이스：
3-XFDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.6 nC @ 4.5 V
공급자 장치 패키지：
X2-DFN1006-3
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.2Ohm @ 100mA, 4V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
440mA (Ta)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.8V, 2.5V, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
44.8 pF @ 15 V
